RS-UWFBG-S2 ɸ165 um耐高温弱光栅阵列
RS-UWFBG-S2是我司与国内外知名光纤企业联合开发的一种聚酰亚胺涂层低反射率布拉格光栅阵列。这种阵列采用飞秒刻写工艺制备多个反射率0.01%~0.1%的光栅阵列。 这种阵列具有优异的耐温特 性（+/-300℃）和耐候性，允许根据用户的需求定制光栅指标和光栅间距，全阵列无需剥皮和串联熔接。
关键词：
所属分类：
超弱光栅阵列及传感器
- 详细描述
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- 商品名称: RS-UWFBG-S2 ɸ165 um耐高温弱光栅阵列
RS-UWFBG-S2是我司与国内外知名光纤企业联合开发的一种聚酰亚胺涂层低反射率布拉格光栅阵列。这种阵列采用飞秒刻写工艺制备多个反射率0.01%~0.1%的光栅阵列。 这种阵列具有优异的耐温特 性（+/-300℃）和耐候性，允许根据用户的需求定制光栅指标和光栅间距，全阵列无需剥皮和串联熔接。
工作原理RS-UWFBG-S2是我司与国内外知名光纤企业联合开发的一种聚酰亚胺涂层低反射率布拉格光栅阵列。这种阵列采用飞秒刻写工艺制备多个反射率0.01%~0.1%的光栅阵列。
这种阵列具有优异的耐温特 性（+/-300℃）和耐候性，允许根据用户的需求定制光栅指标和光栅间距，全阵列无需剥皮和串联熔接。典型应用
- 大量程分布式应力传感；
- 极端高温测量；
- 极端低温测量。
技术规格
参数 典型指标 中心波长 1528 nm~1568 nm 中心波长误差 +/- 0.5 nm 光栅长度 4 mm 反射率 0.01%（可定制） 带宽@-3 dB ≤0.50 nm 边模抑制比 ≥15 dB 附加插入损耗 ≤0.3 dB/km 典型光栅间距 0.20 m，0.5 m，1 m，2 m 光纤涂覆层 Ormocer（改性有机陶瓷） 光纤直径 195 um（900 um可选） 断裂拉伸载荷 ≥ 30 N（对应3%的应变） 温度灵敏度 10.8 pm/℃ 应变灵敏度 1.21 pm/με 工作温度 -200 ℃ ~+300 ℃ 订购信息
公司 产品大类 应变细分 □
光纤种类
□
间距
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波长
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直径
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耐温
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备注
RS UWFBG S2 1:G.657A2
2:G.652D
1:1m
2:2m
3:0.5m
4:其它
1:1536
2:1536 1548
3:1530 1542 1554
4:其它
1:0.165mm
2:其它
1:-200~300℃
2:其它
O:其它
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