RS-UWFBG-D2 ɸ165 um 细径DAS弱光栅阵列
RS-UWFBG-D2是一种采用拉丝塔工艺自动化制备的细径DAS光纤光栅阵列。这种阵列采用特种拉丝工艺和相位掩模法把多个带宽大于5 nm@3 dB、反射率0.01%光栅阵列刻写在一根直径165 um的G.657A2的光纤上，具有声压灵敏度高、抗弯曲性能好的特点，可以大幅提升光纤的灵敏度，降低传感器绕制、成缆及施工的损耗
关键词：
所属分类：
超弱光栅阵列及传感器
- 详细描述
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- 商品名称: RS-UWFBG-D2 ɸ165 um 细径DAS弱光栅阵列
RS-UWFBG-D2是一种采用拉丝塔工艺自动化制备的细径DAS光纤光栅阵列。这种阵列采用特种拉丝工艺和相位掩模法把多个带宽大于5 nm@3 dB、反射率0.01%光栅阵列刻写在一根直径165 um的G.657A2的光纤上，具有声压灵敏度高、抗弯曲性能好的特点，可以大幅提升光纤的灵敏度，降低传感器绕制、成缆及施工的损耗
工作原理
RS-UWFBG-D2是一种采用拉丝塔工艺自动化制备的细径DAS光纤光栅阵列。这种阵列采用特种拉丝工艺和相位掩模法把多个带宽大于5 nm@3 dB、反射率0.01%光栅阵列刻写在一根直径165 um的G.657A2的光纤上，具有声压灵敏度高、抗弯曲性能好的特点，可以大幅提升光纤的灵敏度，降低传感器绕制、成缆及施工的损耗。
典型应用
- 分布式DAS传感系统；
- 水下振动、声呐监测；
- 小尺寸探头、VSP振动传感器等。
技术规格
参数 典型指标 中心波长 1550.12 nm 光栅长度 10 mm 反射率 0.01%（可定制） 带宽@-3dB ≥ 5 nm 边模抑制比 ≥15 dB 光纤衰减 ≤ 0.30 dB/km 典型光栅间距 2 m ，5 m（可定制1 m~50 m） 光纤涂覆层 Acrylate（丙烯酸酯） Modified Acrylate（改性丙烯酸酯） 光纤直径 165 um +/- 5 um 断裂拉伸载荷 ≥ 20 N（对应2%的应变） 温度灵敏度 10.02 pm/℃ 工作温度 -20 ℃~ 90 ℃ -20 ℃~ 150 ℃ 订购信息
公司
产品大类
振动细分
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光纤种类
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间距
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波长
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直径
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耐温
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备注
RS UWFBG D2 1:G.657A2
2:G.652D
1:2m
2:5m
3:其它
1: 1550.12nm
2:其它
1:0.16mm
2:0.25mm
3:0.9mm
4:其它
1:-20~90℃
2:-40~120℃
S:单涂层
D:双涂层
O:其它
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