RS-UWFBG-S3 ɸ165 um湿敏弱光栅阵列
RS-UWFBG-S3是我司开发的一种基于拉丝塔自动化刻写工艺制备的低反射率湿度敏感光栅阵列。这种阵列把多个反射率在0.01%~0.1%的光栅刻写在一根特种聚酰亚胺特殊涂层的光纤上，光纤吸收空气中水份产生伸缩，进而带动UWFBG产生波长变化。光栅的间距及反射率可以用户定制，传感阵列的湿敏度高、一致性，适合大范围、多点湿度测试。
关键词：
所属分类：
超弱光栅阵列及传感器
- 详细描述
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- 商品名称: RS-UWFBG-S3 ɸ165 um湿敏弱光栅阵列
RS-UWFBG-S3是我司开发的一种基于拉丝塔自动化刻写工艺制备的低反射率湿度敏感光栅阵列。这种阵列把多个反射率在0.01%~0.1%的光栅刻写在一根特种聚酰亚胺特殊涂层的光纤上，光纤吸收空气中水份产生伸缩，进而带动UWFBG产生波长变化。光栅的间距及反射率可以用户定制，传感阵列的湿敏度高、一致性，适合大范围、多点湿度测试。
工作原理：
RS-UWFBG-S3是我司开发的一种基于拉丝塔自动化刻写工艺制备的低反射率湿度敏感光栅阵列。这种阵列把多个反射率在0.01%~0.1%的光栅刻写在一根特种聚酰亚胺特殊涂层的光纤上，光纤吸收空气中水份产生伸缩，进而带动UWFBG产生波长变化。光栅的间距及反射率可以用户定制，传感阵列的湿敏度高、一致性，适合大范围、多点湿度测试。
典型应用：
- 桥梁拉索内部的湿度测量；
- 特种环境的湿度测量。
技术规格：
参数 典型指标 中心波长 1528 nm~1568 nm 中心波长误差 +/- 0.5 nm 光栅长度 10 mm 反射率 0.01% ~0.1%（可定制） 带宽@-3dB ≤ 0.50 nm 边模抑制比 ≥15 dB 附加插入损耗 ≤0.5 dB 典型光栅间距 0.20 m，0.5 m，1 m，2 m，5 m（其它定制） 光纤涂覆层 Special Polyimide（特种聚酰亚胺） 光纤直径 160 um （0，+5 um） 断裂拉伸载荷 ≥ 10 N（对应1%的应变） 温度灵敏度 10.5 pm/℃@ 55% 相对湿度（典型） 湿度灵敏度 ≥ 4.6 pm/%RH @30 ℃（典型） 工作温度 -20 ℃~ 60 ℃ 订购信息：
公司 产品大类 应变细分 光纤种类 间距 波长 直径 耐温 备注 RS UWFBG S3 1:G.657A2
2:G.652D
1:1m
2:2m
3:0.5m
4:其它
1:1536
2:1536 1548
3:1530 1542 1554
4:其它
1:0.165mm
2:其它
1:-40~120℃
O:其它
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